A memória DDR5 tornou-se popular há apenas alguns meses, mas a Samsung já existe processo de desenvolvimento inicial Da próxima geração de memória DDR6.
Samsung confirma que o desenvolvimento inicial da memória DDR6 já começou, usa MSAP Tech e visa fornecer velocidades de até 17.000 Mbps
Durante Um seminário Em Suwon, Coréia do Sul, o vice-presidente de teste e pacote de sistema (TSP) da Samsung revelou que a tecnologia de encapsulamento precisa evoluir à medida que o desempenho da própria memória se expande no futuro. A empresa confirmou que está nos estágios iniciais de desenvolvimento de uma memória DDR6 de próxima geração que usará a tecnologia MSAP.
Segundo a Samsung, o MSAP já é utilizado por seus concorrentes (SK Hynix e Micron) em DDR5. Então, o que há de novo no MSAP? Bem, MSAP ou um processo semi-aditivo modificado que permite aos fabricantes de DRAM criar módulos de memória de microcircuito. Isso é conseguido revestindo padrões de círculo nos espaços vazios anteriormente deixados intocados, permitindo melhores conexões e velocidades de transferência mais rápidas. A próxima geração de memória DDR6 não apenas aproveitará o MSAP para melhorar a conectividade do circuito, mas também se adaptará ao número crescente de camadas que serão incorporadas à memória DDR6.
O método de tenda anterior cobria apenas as áreas pintadas da placa de cobre circular onde os padrões de círculo seriam formados enquanto as outras áreas eram gravadas.
Mas no MSAP, as áreas próximas aos círculos são pintadas e as áreas vazias são pintadas, permitindo círculos mais precisos. O vice-presidente disse que, à medida que os chips de memória aumentam a capacidade e a velocidade de processamento de dados, os pacotes devem ser projetados para se adequarem. Koo disse que à medida que o número de camadas aumenta e as operações se tornam mais complexas, o mercado de pacotes de memória também deve crescer exponencialmente.
Em termos de fluxo, outra tecnologia de encapsulamento em que os pinos de E/S são posicionados fora do chip para permitir que os chips fiquem menores, mantendo o design da bola, a Samsung vem implementando pacotes de nível de chip de ventilador externo (FO-WLP) e ventilador desligado. pacotes de nível de placa (FO-PLP).
A Samsung espera que seu design DDR6 seja concluído até 2024, mas o uso comercial não é esperado após 2025. Em termos de especificações, a memória DDR6 será duas vezes mais rápida que a memória DDR5 atual, com velocidades de transferência de até 12800Mbps (JEDEC) e velocidades de overclocking superiores 17.000Mbps. Atualmente, a Samsung DIMM DDR5 mais rápido Ele tem uma taxa de transferência de até 7200Mbps, que é uma melhoria de 1,7x em relação ao JEDEC e uma melhoria de 2,36x com as velocidades de overclock dos chips de memória de última geração.
Com isso, os fabricantes de memória já têm Velocidades excepcionais até DDR5-12600 Em um futuro próximo, o DDR5 definitivamente tem potencial para plataformas de consumo. Espere módulos de memória DDR5 mais rápidos e mais ajustados ainda este ano com o lançamento das plataformas Zen 4 da AMD e da CPU Raptor Lake da Intel.
fonte de notícias: SAMOBILE
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